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碳化硅是人工合成的材料,其化学计量成分以克分子计:Si 50%C50%,以质量计:Si70.04%C29.96%,相对分子质量为40.09。Si-C二元系统相图,碳化硅无一致熔融点。 在封闭系统中、在总压为101kPa的条件下,碳化硅在2735C分解成石墨和富硅熔体。 此温度也是形成碳化硅结晶的较高温度。在开放系统中,碳化硅约在2300C左右开始分解,形成气态硅和残余石墨,如图9-1所示。
碳化硅有两种晶形: B-碳化硅类似闪锌矿结构的等轴晶系; o-碳化硅则为晶体排列致密的六方晶系。B-碳化硅约在2100C转变为o-碳化硅。碳化硅的物理性能:真密度o型3.22g/cmB型3.21g/cm,莫氏硬度9.2,线膨胀系数为(4.7~5.0)x 10-/C,热导率(20C)41.76W/(m.K),电阻率(50C)500.cm,1000C20.cm,辐射能力0.95~0.98。
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